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Inviato: 14 mag 2007, 18:35
da riccardo
Ora, mi scuserete. Mi servirebbe un esempio, di un circuito, e mi rimetto, non potrei fare altrimenti, ai più esperti.
UN esempio, dicevo, di schema SRPP in parafeed.
Che siano valvole, mammozzole, silicio quello che è.
Ciao
R
Saluti
R.R.
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Atomo e vuoto sono in noi
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Inviato: 14 mag 2007, 19:14
da gluca
Intendi uno stadio SRPP con un trafo (parafeed) in uscita?
---------> DISCLAIMER: ooops credo di aver detto una fesseria ... scusate <---------
Inviato: 14 mag 2007, 19:19
da riccardo
Intendi uno stadio SRPP con un trafo (parafeed) in uscita?
---------> DISCLAIMER: ooops credo di aver detto una fesseria ... scusate <---------
Originariamente inviato da gluca - 14/05/2007 : 14:14:10
Yeesss esattamente. E magari -magari- qualche preciso riferimento culturale, nel senso di capire dove va a parare...
P.S: magari ci fosse anche per lo srpp lo schema di un pre, con una grande sensibilità in ingresso...
Saluti
R.R.
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Atomo e vuoto sono in noi
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Inviato: 14 mag 2007, 19:55
da gluca
Questo è un esempio: devi vedere la parte a destra che è il buffer di uscita. Si tratta di un pre microfonico e quindi si porta dietro un bel pò di altra roba all'ingresso che si può semplificare ed elimnare.
In questo caso volevano un uscita bilanciata a bassa impedenza ergo SRPP + trafo. Il trafo non sostiene la corrente continua delle valvole e quindi è "parafeed".
Non so se ho colto i tuoi dubbi correttamente.
---------> DISCLAIMER: ooops credo di aver detto una fesseria ... scusate <---------
Inviato: 14 mag 2007, 20:49
da riccardo
Grazie mille.
Ora, volendo ed essendo io incline ad abusare, mi sapreste dire la differenza esistente (non nel disegno
) in questi due esempi:?
Ossia, vorrei dire, nell'esempio senza feedback in ingresso, QUANTO può essere piccola la R determinata dalla R di Gate? A piacere?
Saluti
R.R.
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Atomo e vuoto sono in noi
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Inviato: 14 mag 2007, 21:32
da Giaime
Beh, lo scopo del bootstrap del circuito inferiore (magari disegni un po' più grandi???
) è di aumentare l'impedenza d'ingresso del circuito, certo è che se ho ben capito quello che devi fare (via PM), non hai limiti "inferiori" per il valore della resistenza di gate: semmai avresti limiti superiori... e non credo che la corrente parassita di gate del fet possa crearti grossi problemi (se si, passa ai mosfet).
PS ovviamente sono circuiti a guadagno unitario, questi: entrambi sono source follower con CCS sotto.
Saluti termoionici
Giaime Ugliano
http://giaime.altervista.org